內存卡如何存儲信息

內存卡屬于閃存flash類型的產品。閃存是以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，其結構與普通的半導體晶體管非常類似，區別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵（floating gate）”和“控制柵（Control gate）”。浮動柵用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，NAND單晶體管的存儲狀態就由1變成0；而當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到保存數據的目的。

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導讀內存卡屬于閃存flash類型的產品。閃存是以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，其結構與普通的半導體晶體管非常類似，區別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵（floating gate）”和“控制柵（Control gate）”。浮動柵用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，NAND單晶體管的存儲狀態就由1變成0；而當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到保存數據的目的。

內存卡屬于閃存flash類型的產品。

閃存是以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，其結構與普通的半導體晶體管非常類似，區別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵（floating gate）”和“控制柵（Control gate）”。浮動柵用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，NAND單晶體管的存儲狀態就由1變成0；而當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到保存數據的目的。

如果要寫入數據，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區域都處于1狀態，只有遇到數據0時才發生寫入動作，但這個過程需要耗費較長的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數據讀取的速度。